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正压送风压力传感器主要用于高层建筑消防正压送风系统（前室，楼梯间，地下避难等通风）压力的控制。该产品采用双行四位数字显示，分别显示实测差压值及控制输出差压值（产品可根据不同要求设定不同的控制输出压力值及复位压力值）；带报警指示灯显示。当压力传感器压力值达到设定值（25~30PA），压力传感器常开触点闭合，接通楼顶旁通泄压阀控制箱电源，处于楼顶的旁通泄压阀打开进行送风泄压，降低前室或楼梯间的压力值，当压力值降低到一定值（通常回差为25PA），压力传感器控制旁通泄压阀控制箱?触点断开，楼顶旁通阀断电，旁通阀闭合停止泄压。

压电式传感器心乂还可以用来测定发动机

压电式传感器心乂还可以用来测定发动机内部燃烧压力的测定与真空度的测定。还可以用于军事工业，比如用它来测定炮在膛中击发的一瞬间的膛压的变化和炮口的冲击波压力。它既可以用来测定大的压力，还可以用来测定微小的压力。 压电式传感器也广泛应用在生物医学测定中，例如心室导管式微音器便是由压电传感器做成的，由于测定动态压力是这么普遍，因此 压电传感器的运用就十分普遍。除开压电传感器之外，也有运用压阻现象制造出来的压阻传感器，运用应变现象的应变式传感器等，这种不一样的前室压力传感器选型运用不一样的现象和不一样的材质，在不一样的场合能够充分发挥他们特有的用处。

化合物半导体材料硅是制作微机电器件和装置的主要材料

四、化合物半导体材料 硅是制作微机电器件和装置的主要材料。为了提高器件和系统的性能以及扩大应用范围，化合物半导体材料在某些专门技术方面起着重要作用。如在红外光、可见光及紫外光波段的成像器和探测器中，PbSe、InAs、Hg1-xCdxTe(x代表Cd的百分比)等材料得到日益广泛的应用。 现以红外探测器为例加以说明。利用红外幅射与物质作用产生的各种效应发展起来的，实用的光敏探测器，主要是针对红外幅射在大气传输中透射率为清晰的3个波段（1-3μm，3-5μm，8-14μm）研制的。对于波长1-3μm敏感的探测器有PbS、InAs及Hg0.61Cd0.39Te；对于波长3-5μm敏感的探测器有InAs、PbSe及Hg0.73Cd0.27Te；对于波长8-14μm敏感的探险测器则有Pb1-xSnxTe、Hg0.8Cd0.2Te及非本征（掺杂）半导体Ge:Hg,Si:Ga及Si:Al等。其中3元合金Hg1-xCdxTe是一种本征吸收材料，通过调整材料的组分，不仅可以制成适合3个波段的器件，还可以开发更长工作波段（1-30μm）的应用，因而备受人们的关注。 须指出的是，上述材料需要在低温（如77K）下工作。因为在室温下，由于晶格振动能量与杂质能量的相互作用，使热激励的载流子数增加，而激发的光子数则明显减少，从而降低了波长区的探测灵敏度。

硅单芯片为衬底的SiC薄膜

五、SiC薄膜材料 SiC是另一种在特殊环境下使用的化合物半导体。它由碳原子和硅原子组成。利用离子注入掺杂技术将碳原子注入单晶硅内，便可获得的立方体结构的SiC。随着掺杂浓度的差异得到的晶体结构不同，可表示为β-SiC。β表示不同形态的晶体结构。用离子注入法得到的SiC材料，自身的物理、化学及电学特性优异，表现出高强度、大刚度、内部残余应力很低、化学惰性极强、较宽的禁带宽度（近乎硅的1-2倍）及较高的压阻系数的特性；因此，SiC材料能在高温下耐腐蚀、抗辐射，并具有稳定的电学性质。非常适合在高温、恶劣环境下工作的微机电选择使用。 由于SiC单晶体材料成本高，硬度大及加工难度大，所以硅单晶片为衬底的SiC薄膜就成为研究和使用的理想选择。通过离子注入，化学气相淀积（VCD）等技术，将其制在Si衬底上或者绝缘体衬底（SiCOI）上，供设计者选用。例如航空发动机、火箭、及等耐热腔体及其表面部位的压力测量，便可选用以绝缘体为衬底的SiC薄膜，作为感压元件（膜片），并制成高温压力微传感器，实现上述场合的压力测量。测压时的工作温度可达到600℃以上。